金属氧化膜电阻是通过在金属或合金表面形成氧化膜实现电阻效应的器件,其核心工艺包括真空镀膜或阴极溅射技术,将镍铬合金、氧化锡等材料沉积在陶瓷基体表面形成薄膜电阻体。金属氧化膜电阻的阻值范围为1Ω~200kΩ,制造过程中采用金属盐溶液(如四氯化锡)高温分解沉积,性能受工艺条件影响显著。
优势特性:
金属氧化膜局限性:
金属氧化膜氧化膜电阻凭借高稳定性和耐环境性,广泛应用于:
其他参数:
参数速查表(示例):
RY(常规) | 0.25W | 1Ω~1kΩ | J/K | ±700ppm/℃ | 明生电阻|
RY70 | 1W | 10Ω~1kΩ | D/F/G | ±200ppm/℃ | 明生电阻 |
RXLG | 2W | 1Ω~10kΩ | K | ±700ppm/℃ |
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